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AO4435L

更新時間:2025-05-16 23:33:38

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AO4435L 概述

AO4435L是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源管理應用。其最大漏源電壓為-20V，連續(xù)漏極電流可達-4.1A（在25°C條件下），非常適合用于便攜式設備、負載開關、電池充電器及DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景中。由于其封裝尺寸小且具備優(yōu)秀的熱性能，AO4435L能在緊湊的設計空間內(nèi)提供可靠的功率控制功能，同時減少能量損耗并提高系統(tǒng)整體效率。在實際應用時，需注意遵循正確的驅(qū)動電路設計以確保最佳的開關性能，并防止過壓或過流情況對器件造成損害。

AO4435L 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
10.5A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
14 毫歐 @ 11A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOIC
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

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