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AO4402G

更新時間:2025-05-22 02:07:56

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AO4402G 概述

AO4402G是由Alpha & Omega Semiconductor公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該芯片采用先進的功率半導體工藝制造，具有低導通電阻特性。基礎(chǔ)描述方面，它是一款表面貼裝器件，采用了緊湊型的DFN封裝形式，這使得它在空間受限的應用中非常適用。其柵極驅(qū)動電壓范圍較寬，方便與多種控制電路進行集成。典型應用場景包括電源管理、負載開關(guān)以及電池保護電路等。在電源管理系統(tǒng)中，它可以作為高效的同步整流器或者初級側(cè)開關(guān)使用，有助于提高整體電源轉(zhuǎn)換效率。在負載開關(guān)應用里，能夠快速地接通和關(guān)斷負載，減少不必要的功耗。在電池保護電路中，可用于防止過充、過放等故障情況對電池造成損害，并且由于其低導通電阻，在正常工作時產(chǎn)生的熱量較少，有利于延長設備使用壽命并提高系統(tǒng)可靠性。

AO4402G 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
5.9 毫歐 @ 20A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
45 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3300 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOIC
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

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廣東微爾科技有限公司

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