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2N4922G

更新時間:2025-07-04 10:49:38

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2N4922G外觀圖

2N4922G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS NPN GP 1A 60V HP TO225AA

封裝:TO-225AA，TO-126-3

2N4922G 概述

2N4922G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款高壓NPN晶體管。該器件設計用于需要高電壓處理能力的開關和線性應用中，最大集電極-發(fā)射極電壓可達300V，適合工業(yè)控制、電源管理和電機驅動等應用場景。其高擊穿電壓特性使得它在惡劣電氣環(huán)境下依然能保持穩(wěn)定工作，同時具備較高的電流增益，有助于簡化電路設計并提高效率。在具體應用時，建議確?；鶚O電阻選擇合適以防止過大的基極電流損壞晶體管，并注意散熱設計以維持長期可靠運行。對于電源轉換電路，可將其作為開關元件使用，通過合理配置外圍元件來實現(xiàn)高效能的能量轉換。

2N4922G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
1A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
60V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
600mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
30 @ 500mA，1V
功率 - 最大
30W
頻率 - 轉換
3MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-225AA，TO-126-3
供應商設備封裝
TO225AA
包裝
散裝
其它名稱
2N4922GOS

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