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2N3055E

更新時間:2025-06-17 08:00:40

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2N3055E 概述

2N3055E是ON Semiconductor公司生產的一款NPN功率晶體管，專為高功率線性及開關應用設計。該器件采用TO-247封裝，具有良好的熱性能和電氣特性，能夠承受較高的電壓和電流。其最大集電極-發(fā)射極電壓可達60V，在室溫下連續(xù)集電極電流可高達15A。2N3055E常用于電源管理、電機驅動以及音頻放大器等需要較大功率輸出的電路中。在實際應用時，需注意散熱設計以確保穩(wěn)定工作，推薦使用適當?shù)纳崞?，并保證良好的電氣連接。對于音頻放大器應用，應仔細調整偏置電路以優(yōu)化音質表現(xiàn)。

2N3055E 規(guī)格參數(shù)

安裝類型
通孔
寬度
26.67mm
封裝類型
TO-3
尺寸
39.12 x 26.67 x 9.15mm
引腳數(shù)目
2
晶體管類型
NPN
最大功率耗散
115 W
最大直流集電極電流
15 A
最大集電極-發(fā)射極電壓
60 V
最小直流電流增益
20 V
最高工作頻率
2.5 MHz
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
雙極功率
配置
單
長度
39.12mm
高度
9.15mm

芯知識

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廣東微爾科技有限公司

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